Вверх

История кафедры

 

Как древние Рим и Эллада, Бухара и Самарканд, Киев и Новгород, Рязань, обрастая слободами, возводя церкви и соборы, раскинулась на холмах и берегах когда-то могущественной и полноводной реки Оки, среди таинственных, дремучих, темных лесов и загадочных мещерских болот.

Всегда юная и древняя Рязань была основана в 1095 году, намного раньше нашей столицы Москвы. Это она предоставила тебе возможность получить прекрасное высшее образование и сделать первые в своей жизни самостоятельные шаги, накопить стартовый капитал, получить азы практической работы в лабораториях, колхозах, на стройках, целине, в звёздных походах, практиках, в городах Воронеже, Брянске, Орле, Ульяновске, Киеве, стать человеком, достичь жизненных высот, вырастить детей, спокойно полысеть и постареть.

Рязань входит в число 115 исторических российских городов, подлежащих первостепенной охране и сбережению. На гербе Рязани - мужественный и сильный человек, труженик и воин, символ того, что рязанцы исстари умели созидать, строить, творить, защищать и воспевать свой родной край. Закономерно, что современная Рязань - правопреемница и наследница традиций лучшего, что ей дала многовековая история.
Благодаря ярким талантам практически во всех областях жизни, науки и техники Рязань приобрела известность и продолжает её преумножать.

Такие выдающиеся рязанцы как Евпатий Коловрат - первый воин-рязанец, принявший неравный бой и положивший начало освобождению Руси от татаро-монгольского нашествия; дьячок Крякутный - первый в мире «десантник», пытавшийся на воздушном шаре покорить колокольню Рязанского Кремля. К.Э.Циолковский - основоположник космонавтики; А.А.Марков - академик, математик; И.П.Павлов - академик, физиолог, лауреат Нобелевской премии; С.А.Есенин - один из любимых поэтов современности; А.И.Солженицын - лауреат Нобелевской премии, писатель; К.В.Шиловский - изобретатель гидролокатора, обладатель французского ордена Почетного Легиона; Ф.Полетаев - Герой Советского Союза, национальный Герой Италии; Б.И. Ковзан - единственный в мире летчик-истребитель, совершивший во время Великой Отечественной войны трижды лобовой таран и оставшийся в живых, Герой Советского Союза; В.Ф.Уткин - дважды Герой Социалистического Союза; М.А.Малахов - врач, путешественник-естествоиспытатель, на лыжах достигший Северного полюса, Герой России, Дарья Гармаш - Герой Социалистического труда, бригадир женской транспортной бригады, прославили и прославляют Рязанский край в веках.

По числу Героев Советского Союза и Героев России, имена которых высечены на стелах площади Победы, Рязанский Край намного опережал и опережает любую область Советского Союза и России, в том числе Республику Беларусь.
Славные имена Рязанцев и их дела были и будут притягательным светом на жизненном пути к знаниям, к восхождению новой смены творцов прогресса и потенциала России.

Рязань и наш край известны не только делами выдающихся земляков, но и такими уникальными природными условиями, как всегда привлекательная Мещера со своим крупнейшим в России Окским заповедником, спокойная полноводная Ока, манящая, тихая лесная Пра с мягкой коричневатой водой, задумчивые лесные озера, любимые места отдыха - Солотча и Ласково; известные промышленные предприятия и высшие учебные заведения.

Среди последних наиболее значимыми и престижными являются: Рязанский государственный радиотехнический университет (РГРТУ) - самый крупный специализированный радиотехнический вуз России, Рязанский государственный медицинский университет имени академика И.П. Павлова, Рязанский государственный агротехнологический университет имени П.А. Костычева, Рязанский государственный университет имени С.А.Есенина, Рязанское высшее воздушно-десантное командное училище им. генерала армии В.Ф..Маргелова - единственное в России, военный автомобильный институт им. генерала армии В.П.Дубынина, Рязанское высшее военное командное училище связи  им. Маршала Советского Союза М.В.Захарова, академия права и управления Федеральной службы исполнения наказаний и ряд других высших учебных заведений.

Начальной датой истории радиотехнического университета является 28 декабря 1951 года, когда И.Сталин подписал Постановление Совета министров СССР №5389-2346, предписывающее «создать в 1952 году в г. Рязани радиотехнический институт по подготовке инженеров по радиотехническим, радиолокационным и электровакуумным специальностям для радиолокационной и электровакуумной промышленности». В состав нового вуза первого в СССР такого профиля были включены 3 факультета: радиотехнический, электровакуумный и приборостроительный. В январе 1956 года принято решение на основе вечернего отделения создать вечерний факультет, который открыт 1 октября 1957 года.

Самыми молодыми являются инженерно-экономический и гуманитарный факультеты, открытые соответственно 25 июня 1993 года и 25 января 1996 года.

В 1993 году институт получил статус Рязанской государственной радиотехнической академии, а в 2006 году - Рязанского государственного радиотехнического университета.

Факультет конструирования радиоаппаратуры, в состав которого входили выпускающие кафедры: биомедицинской и полупроводниковой электроники (БМПЭ), конструирования и производства радиоаппаратуры (КПРА), технологии радиоэлектронной аппаратуры (ТРЭА) и кафедра начертательной геометрии и черчения (НГЧ), вёл подготовку по четырём специальностям: биотехнические и медицинские аппараты и системы - 200401, микроэлектроника и твердотельная электроника - 210104, стандартизация и сертификация - 200503, проектирование и технология радиоэлектронных средств - 210201. Общий прием студентов на первый курс факультета составлял 140 человек. В 2005 году ФКР был реорганизован и выпускающие кафедры присоединили к разным факультетам. Наша кафедра БМПЭ, в настоящее время - кафедра микро- и наноэлектроники (МНЭЛ), вошла в состав факультета электроники.

history1.jpg

Становление и развитие кафедры МНЭЛ начинается с ноября 1952 года - дня открытия радиотехнического института и организации кафедры технологии металлов, правопреемницами которой стали кафедра технологии металлов и материалов радиоэлектроники, кафедра полупроводников и диэлектриков (ПиД), затем кафедра микроэлектроники, кафедра биомедицинской и полупроводниковой электроники (БМПЭ), и, наконец, кафедра микро- и наноэлектроники (МНЭЛ).

Первым заведующим кафедрой с сентября 1952 года по июль 1964 года была доцент Манжос Галина Александровна - кандидат технических наук.

Кафедра являлась общетехнической и вела подготовку инженеров на всех специальностях института. В то время были организованы лаборатории по литью, механической обработке материалов, испытаниям и микроструктурному анализу преимущественно металлов. В это время на кафедре работали преподаватели: к.т.н., доцент Емелин Михаил Иванович, к.т.н., доцент Пузанчиков Анатолий Викторович, ассистенты Посохин Аркадий Иванович, Шейко Владимир Никифорович, Калгушкин Алексей Иванович, Бугров Анатолий Семенович, Иванов Алексей Георгиевич, Старченков Борис Константинович, зав. лабораториями Касаткин Алексей Дмитриевич, учебный мастер Хоровинкин Михаил Федорович, Арешкин Василий Дмитриевич, Ананьин Иван Михайлович, лаборанты Милюкова Таисия Федоровна, Першнев Владимир Александрович.

2.jpg
В 1961 году кафедра была переименована в кафедру технологии металлов и материалов радиоэлектроники. При активном участии старшего преподавателя Старченкова Б.К. в короткий срок была организована соответствующая и ныне модернизированная лаборатория материалов электронной техники, радиоэлектроники. Им же были предприняты первые попытки проведения научно-исследовательской работы по исследованию электретного эффекта в высокомолекулярных соединениях.

3.jpg
В связи с бурным развитием космонавтики, ракетной и вычислительной техники, полупроводниковой электроники в этот период, нехваткой в стране специалистов в области полупроводникового материаловедения и приборостроения правительством была поставлена задача подготовки инженерных кадров по этим новейшим специальностям.

Для организации специальности 0604 - «Полупроводники и диэлектрики» был приглашен в июле 1964 года из Новокузнецкого металлургического института к.т.н., доцент Орешкин Павел Тимофеевич, который возглавил кафедру, в короткое время создал коллектив единомышленников и подготовил условия для открытия выпускающей кафедры на основе существующей кафедры технологии металлов и материалов.

В становлении новой специальности, постановке новых учебных дисциплин, лабораторных работ, их методического обеспечения активное участие приняли кандидат технических наук доцент Емелин Михаил Иванович, кандидат химических наук доцент Кочегаров Виктор Михайлович, кандидат технических наук доцент Митрофанов Олег Викторович, старший преподаватель Старченков Б.К. и молодые ассистенты Барышев Вячеслав Григорьевич, Кобцева Юлия Николаевна, Галиуллина Танзиля Карибовна, Перелыгин Александр Иванович, заведующий лабораторями Васильев Михаил Федорович, учебный мастер Арешкин Василий Дмитриевич, лаборанты Ананьин Иван Михайлович, Калюта Иван Александрович. В середине 1965 года кафедра закупила первый электронный прибор - вольтметр ВК7-9 и мост полных проводимостей МПП-300.

18 февраля 1965 года кафедра была переименована в выпускающую кафедру «Полупроводники и диэлектрики» с открытием одноименной специальности - 0604. Первый прием двух групп 554, 555 студентов в количестве 50 человек на эту специальность был проведён в июле-августе 1965 года. Конкурс при зачислении составил 4 человека на место. Нашим студентам выплачивалась повышенная стипендия в сравнении с другими специальностями (на первом курсе 45 рублей вместо 29 рублей).

В этот период под руководством зав. кафедрой Орешкина П.Т. и доцент Кочегарова В.М., на кафедре открывается аспирантура. Первыми аспирантами были выпускница педагогического института Кузнецова Лидия Александровна, выпускница Кузнецкого металлургического института Андреева Любовь Петровна, выпускник Ленинградского электротехнического института им. Ульянова (Ленина) Перелыгин Александр Иванович, выпускник Владимирского политехнического института Семенов Виталий Александрович, выпускник радиотехнического института Соколов Борис Михайлович, выпускницы Ленинградского химико-технологического института Белицкая Треверика Борисовна и Царева Альбина Васильевна.

4.jpg5.jpg











Первые научно-исследовательские работы были выполнены под научным руководством доцента Орешкина П.Т. по исследованию электрофизических свойств поликристаллических ферритов (ответственный исполнитель доцент Емелин М.И.).

Для ее выполнения на кафедре, в тесном взаимодействии с НИИ магнитодиэлектриков (г. Ленинград), НИИ ГРП (Рязань) и Рязанским приборным заводом было организовано опытное производство никель-цинковых ферритов и разработаны оригинальные методики их исследования. Активное участие в выполнении этой работы принимали аспиранты Перелыгин А.И., Кузнецова Л.А., Соколов Б.М., а также студенты Вандышев Федор Федорович и Тлеубаева Асия Капасовна. По этому направлению было опубликовано свыше 60 научных статей, получено 8 авторских свидетельств.

Доцент Орешкин П.Т. защитил в 1969 году докторскую диссертацию, аспиранты Андреева Л.П. и Кузнецова Л.А. - кандидатские. В связи с широкими перспективами работ по микроэлектронике это направление в 1970 году было закрыто.

Другим направлением работ являлось исследование электретного эффекта в органических тонких пленках и разработка технологии электретирования с целью разработки электретных датчиков и микрофонов (отв. исполнитель Старченков Б.К., а затем Емелин М.И.).

В выполнении работ этого направления активное участие принимали старший преподаватель Старченков Б.К., ассистент Перелыгина Танзиля Карибовна, инженер Воскресенский Александр Владимирович, студенты: Рассказова Надежда Никитична, Тимофеев Владимир Николаевич, ассистент Ванюшкин Петр Степанович. По этому направлению было получено 16 авторских свидетельств, опубликовано свыше 300 научных статей и методических разработок. Научный руководитель профессор Орешкин П.Т., доцент Емелин М.И., с.н.с. Перелыгина Т.К., доцент Тимофеев В.Н., инженер Воскресенский А.В. награждены знаками «Изобретатель СССР». Работы  проводились в тесном сотрудничестве с Воронежским заводом полупроводниковых приборов, Тульским заводом «Сигнал», кафедрами диэлектриков и полупроводников Ленинградского электротехнического института, Московского института электронного машиностроения и другими научными центрами. Работы по этому направлению выполняются кафедрой до настоящего времени, результатом которых является защита кандидатских диссертаций нашими выпускниками Шемонаевым Николаем Викторовичем (к.т.н., доцент кафедры БМПЭ) и Лабутиным Александром Валериевичем.

6.jpg
Начало работ по одному из важных научных направлений кафедры было положено так же в 1963-64 г. по исследованию аморфных полупроводников (научный руководитель доцент Орешкин П.Т., ответственный исполнитель доцент Митрофанов О.В.). В организации работ по этому направлению принимали участие аспиранты Барышев Вячеслав Григорьевич, Татаринов Виктор Алексеевич, ассистент Семенов Виталий Александрович (к.т.н., доцент), ассистент Ванюшкин П.С., ассистент Балабанов Евгений Викторович (Заслуженный учитель РФ), студенты Глебов Андрей Савельевич (д.т.н., доцент), Петров Игорь Михайлович (к.т.н., доцент), Живодеров Александр Николаевич (к.т.н., доцент), Орешкин Валерий Павлович (к.т.н.,), Саржина Наталья Алексеевна (д.т.н.), Мальченко Сергей Иосифович (к.т.н., доцент, мастер спорта СССР), Верейкин Евгений Васильевич, Глебов Сергей Савельевич (к.т.н.,).

Кафедра являлась участницей выставки достижений народного хозяйства (ВДНХ) СССР, а научный руководитель профессор Орешкин П.Т. награжден золотой медалью за цикл работ по исследованию аморфных полупроводников.

В выполнении работ по этому направлению участвовали выпускники кафедры Вихров Сергей Павлович (д.ф.-м.н., профессор Заслуженный деятель науки Российской Федерации), Гибадатов Ильдар Юсупович (к.т.н.), Рожков Сергей Владимирович (к.т.н., доцент), Рожкова (Панкова) Галина Викторовна (к.т.н.), Матушкин Сергей Александрович (к.т.н.), Ампилогов Владимир Николаевич (к.т.н., доцент), Бодягин Николай Викторович (д.ф.-м.н., профессор), Вишняков Николай Владимирович (к.т.н., доцент), Дьяков Сергей Николаевич (к.т.н., доцент), Гузнов Александр Алексеевич.

По результатам работ этого направления было опубликовано свыше 400 научных статей, получено 20 авторских свидетельств. Изданы три монографии, свыше 30 методических разработок для студентов.

Кроме того, в этот же период под научным руководством к.х.н., доцента Кочегарова В.М. с аспирантами Царевой А.В. и Белицкой Т.Б. был выполнен цикл работ по электроосаждению сплавов, которые явились основой для организации участка по производству печатных плат в ОКБ вычислительной техники при нашем институте.

В 1968-70 г. в связи с началом работ в нашей стране в области микроэлектроники кафедрой были заключены договора на выполнение научно-исследовательских работ с Томилинским заводом полупроводниковых приборов (научный руководитель профессор Орешкин П.Т., ответственные исполнители старший преподаватель Михайличенко Аскольд Дмитриевич, ассистент Перелыгин Александр Иванович).

С 1970 г. объем этих работ резко возрос, расширилась тематика и решаемые проблемы. Были дополнительно заключены договора с НИИ ГРП (г. Рязань), Саратовским заводом приемно-усилительных ламп, Минским НИИ, Брянским заводом полупроводниковых приборов (ответственный исполнитель старший преподаватель Перелыгин А.И.). В выполнении этих работ активное участие приняли старший преподаватель Кобцева Ю.Н. (к.т.н., доцент), студенты Садофьев Юрий Григорьевич (д.ф.-м.н., профессор), Парфирова Татьяна Андреевна (Холомина, д.ф.-м.н., профессор, первая женщина профессор РГРТУ), Калмыкова Татьяна Васильевна (Кунина), Рыженков Владислав Павлович (впоследствии генеральный директор объединения «Кремний», г. Брянск), Хочинов Юрий Ефимович, впоследствии технический директор этого объединения, Клочков Анатолий Яковлевич (к.т.н., доцент), Кожина Людмила Григорьевна (Сосновская), Першин Сергей Евгеньевич, Королева Галина Ивановна, Тлеубаева Асия Капасовна (Исмухамедова), Лактюшкин Олег Николаевич, Ростовцева Светлана Анатольевна, Корницкий Ефим Ушерович (к.т.н., лауреат государственной премии), инженеры Ершов Валерий Степанович, Патрин Сергей Алексеевич и Патрина (Кочугова) Инна Викторовна, Курсаков Александр Геннадьевич, Данилов Александр Васильевич (к.т.н.,), Степанушкин Александр Гаврилович (лауреат премии правительства Украины), Халявский Аркадий Израйлевич, Моос Евгений Николаевич лучший баритон института д.т.н., профессор, Осколков Михаил Яковлевич (к.т.н.,), Полетаев Александр Васильевич (к.т.н.,), Шрайнер Юрий Арвитович, Спиридонов Сергей Борисович, первый разработавший в дипломном проекте релаксационный спектрометр, Чернобродов Евгений Григорьевич, Ульянова Марита Шамилевна, Панициди Петрас Харлампиевич, Ставринидов (Кучинская) Валентина Григорьевна и многие другие.

Таким образом было сформировано одно из трех важнейших научных направлений работы кафедры, которое в дальнейшем получило название «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем».

С 1976 по 1986 г. кафедрой по этому направлению были организованы и проведены в Рязани три Всесоюзных научных семинара для научных работников НИИ, вузов и предприятий радиоэлектронной промышленности СССР. Эти семинары были одними из крупнейших научных форумов, проводимых в СССР. Они были местом установления связей, единения интересов науки и промышленности, заключения договоров, внедрения научных идей в жизнь.

В работе каждого из семинаров принимали участие от 180 до 260 ученых и представителей научных школ и предприятий. Доклады и сообщения участников семинаров были изданы в виде тезисов и трудов семинаров.

За короткий срок (1964-1976), благодаря усилиям коллектива сотрудников, кафедра стала известным в СССР учебно-научным центром по исследованиям в трех названных выше научных направлениях и подготовке инженерных кадров в области микроэлектроники. За цикл работ в области микроэлектроники профессор Орешкин П.Т. был награжден медалью министерства электронной промышленности.

Учитывая задачи и проблемы предприятий, научный потенциал и возможности кафедры в 1984 году Министерство электронной промышленности СССР на базе данного научного направления открыло при кафедре отраслевую лабораторию «Физики и технологии пленок».

Для этой цели научно-исследовательский технологический институт (НИТИ), в лице директора д.т.н., профессор Денисова Альберта Георгиевича, одного из ведущих специалистов СССР в области научного полупроводникового приборостроения выделил под лабораторию 360 м2 площадей, один миллион рублей для приобретения контрольно-измерительных приборов и предоставил возможность для работы на установках молекулярно-лучевой эпитаксии, сверхглубокой очистки материалов и их сверхточного микроструктурного анализа.

7.jpg
На базе отраслевой лаборатории и действующих установок НИТИ был организован учебный процесс подготовки инженеров по специальности «Полупроводники и диэлектрики» со специализацией «Микроэлектроника». Научным руководителем лаборатории назначается профессор Орешкин П.Т., ответственным исполнителем - доцент Перелыгин А.И., зав. лабораторией Козлов Владислав Михайлович, который приложил много усилий для приобретения необходимого в то время лимитированного оборудования.

Большую помощь в организации лаборатории оказал зав. отделом НИТИ к.х.н., с.н.с. Дорджин Генрих Саджиевич, а в организации учебного процесса д.т.н. Протопопов Олег Дмитриевич, к.т.н., доцент Кобцева Ю.Н., д.ф.-м.н., с.н.с. Садофьев Ю.Г., Кратенко Владимир Иванович - гл. инженер НИТИ.

С 1987 по 1990 г.г. заведующим лаборатории работал выпускник нашей кафедры к.т.н., с.н.с. Клочков Анатолий Яковлевич.

Высококвалифицированный коллектив сотрудников - преимущественно выпускников кафедры в лице Зубкова Михаила Владимировича (к.т.н., доцент), Туркина Юрия Александровича (к.т.н., доцент), Гармаш Юрия Владимировича (к.т.н., доцент), Денисова Александра Леонидовича (к.т.н., м.н.с.), Денисова Александра Альбертовича (к.т.н.,), Кордюкова Сергея Ивановича (к.т.н.,), Лактюшкина Олега Николаевича, Матушкина Сергея Александровича, Лактюшкина Василия Николаевича, Боброва Андрея Леонидовича, Лузана Виктора Михайловича, Мусатова Валерия Михайловича, Рябко Александра Ивановича, Пресняковой Татьяны Даниловны, Домокеевой Людмилы Ивановны, Полухова Александра Васильевича, Руделева Николая Алексеевича, Роцеля Юрия Петровича, Гончаренко Марины Константиновны, Ульяновой Ирины Викторовны, Кочетовой Ольги Николаевны, Забяловой Елены Юрьевны, Емельяновой Екатерины Борисовны, Макаровой (Антроповой) Елены Николаевны выполнил большой объём научно-исследовательских работ, разработал оригинальный релаксационный спектрометр для контроля параметров глубоких центров в полупроводниках и внедрил его в организациях и предприятиях электронной промышленности.

На базе комплекса выполненных экспериментальных научно-исследовательских работ этого направления профессором Орешкиным П.Т. с сотрудниками была разработана теория релаксационной спектроскопии глубоких центров в полупроводниках.

В период становления кафедры, специальности и отраслевой лаборатории с 1964 по 1988 г. кафедру возглавлял профессор Орешкин П.Т., д.т.н., участник Великой Отечественной войны, Заслуженный деятель науки и техники СССР, Почетный работник высшего и среднего специального образования, Почетный гражданин г. Рязани.

Государственные комиссии по защите дипломных проектов в разные годы возглавляли: начальник отдела НИТИ, д.ф.-м.н., профессор Шуппе Георгий Николаевич, главный инженер Приборного завода Новиков Геннадий Васильевич, директора НИТИ д.т.н. Денисов Альберт Георгиевич, Кратенко Владимир Иванович, гл.инженер НИТИ Сергеев Николай Николаевич, заместитель генерального директора завода металлокерамических приборов по научной работе к.т.н., доцент Сажин Борис Николаевич.

В этот же период на кафедре и в отраслевой лаборатории работали также инженеры: Лобанев Евгений Владимирович, Потапов Игорь Владимирович, Меньшов Олег Борисович, Кожухов Станислав Викторович, Косенко Игорь Михайлович; зав. лабораториями: Светов Виктор Иванович, Маевский Борис Семенович, Морозов Иван Гаврилович, Сажин Николай Иванович, Матушкин Виктор Кузьмич, секретари-машинистки: Лысова Антонина Ивановна, Иванова Нина Петровна, Поседкина Лариса Викторовна (чемпионка Рязанской обл. по шахматам), Гнеденко (Муляр) Наталья Лаврентьевна, Макарова Валентина Петровна, Петрова (Струтынская) Татьяна Евгеньевна; лаборанты: Туманова Елена Александровна, Киселев Олег Александрович, Харитонов Александр Константинович, Шилкин Валерий Павлович, Юдин Валерий Федорович, Наумкин Михаил Анатольевич, Кратенко Владимир Владимирович, Царев Владимир Николаевич, Соглаев Вадим Николаевич, Перепелкин Роман Александрович, доцент Меер Вадим Викторович - лауреат премии правительства Эстонской ССР, лаборант Скворцов Александр Иванович, инженер Смагин Михаил Александрович, инженер Чижиков Сергей Федорович, инженер Орешков Вячеслав Игоревич, лаборант Никонов Вадим Юрьевич.

С 1965 года кафедра проводила подготовку инженеров по специальности 0604 «Полупроводники и диэлектрики» со специализацией «Микроэлектроника».

В 1988 году кафедра была преобразована в кафедру микроэлектроники (МЭл), а подготовку инженеров проводила по специальности 200200 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы».

_8.jpg
С 1988 по 2013 год кафедру возглавлял выпускник нашей кафедры Вихров Сергей Павлович - д.ф.-м.н., профессор, Заслуженный деятель науки РФ, Почетный работник высшего профессионального образования.

Оперативно реагируя на запросы промышленности и учреждений здравоохранения в 1994 году, кафедра открыла новую специальность 190500 «Биотехнические и медицинские аппараты и системы».

В этом же году был осуществлен прием на первый курс 20 студентов - будущих инженеров - «медиков», первый выпуск которых состоялся в 1999 году.

Преимущественно в организации приборостроения и медицинские центры влился поток инженеров с новыми знаниями.

В этом же году при кафедре по этой специальности была открыта аспирантура, а по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков» - докторантура.

Первые выпускники этой специальности Алпатов Алексей Викторович, Курышев Валерий Викторович защитили кандидатские диссертации.

9.jpg
Для организации этой специальности, коллективом кафедры в составе зав. кафедрой профессора Вихрова С.П., к.т.н., доцента Рожкова С.В., доцента Туркина Ю.А., профессора Холоминой Т.А., доцента Мальченко С.И., доцента Зубкова М.В., доцента Кобцевой Ю.Н., доцента Вишнякова Н.В., доцента Шемонаева Н.В., доцента Перелыгина А.И., ассистента Гудзева В.В., аспирантов и студентов-старшекурсников была выполнена большая работа по организации новых лабораторий, приобретению оборудования, организации мест практики, методическому обеспечению учебного процесса, трудоустройству выпускников.

10.jpg
С открытием новой специальности на кафедру были приглашены к.т.н. А.А. Михеев (ныне д.т.н.) и д.т.н. В.Н. Локтюхин, имеющие большой практический опыт разработки и внедрения информационно-измерительных и микропроцессорных систем преобразования и обработки измерительных сигналов для авиационной и космической техники (ЦАГИ им. профессора Н.Е. Жуковского, РКК «Буран-Энергия» и др.). Новизна их разработки подтверждается полученными 50 авторскими свидетельствами СССР и 7 зарубежными патентами на изобретения.

С 1997 г. на кафедре проводятся исследования по проблемам медицинского приборостроения. Работы ведутся по направлению «Разработка методов и средств преобразования и обработки биосигналов», научные руководители д.т.н., профессор В.Н. Локтюхин и д.т.н., профессор А.А. Михеев. По результатам научных исследований защищены 1 докторская (А.А. Михеев) и 4 кандидатские (Курышев В.В., Алпатов А.В., Мельник О.В., Челебаев С.В.) диссертации, получено 15 патентов на изобретения, опубликовано более 200 научных работ. 

Проведение этих исследований позволило при подготовке инженеров по специальности 190500 ввести специализацию «Интеллектуальные датчики. Методы и средства компьютерной обработки биосигналов». Необходимость ее введения во многом обоснована тем, что современные компьютерные средства применяются как в составе биотехнических систем, так и для их проектирования. Поэтому комплексирование и разработка сложного медицинского оборудования немыслимы без  применения таких подсистем, как персональные компьютеры, одноплатные и однокристальные микроЭВМ и микроконтроллеры, операционные системы, системы управления базами данных, системы автоматизированного проектирования (САПР) и т.д.

В связи с изменениями номенклатуры специальностей с 2000 года кафедра готовит инженеров по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (прием на первый курс 20 человек) и 200401 «Биотехнические и медицинские аппараты и системы» (прием на первый курс 20 человек).

Всегда находясь на «гребне» последних научных достижений и понимая перспективность исследований в новом направлении - наноэлектроника и нанотехнологии - на базе кафедры БМПЭ в содружестве с кафедрой промышленной электроники (ПЭл) в составе университета приказом ректора РГРТА от 10 апреля 2003 г. создается Региональный Центр зондовой микроскопии коллективного пользования (РЦЗМкп), имеющий кроме того статус федерального Центра коллективного пользования.

Основной целью деятельности Центра является повышение эффективности научно-технических работ, проводимых научно-учебными коллективами университета и промышленными предприятиями Рязанского региона, за счет использования передовых методов исследований и современного наукоемкого технического оборудования.

В настоящее время Центр располагает лабораторией сканирующей зондовой микроскопии, лабораторией электрофизических исследований. Лаборатория сканирующей зондовой микроскопии имеет на вооружении современные туннельные и атомно-силовые микроскопы, позволяющие проводить не только диагностические исследования поверхности твердых тел и биологических объектов с разрешением до 1 ангстрема, но и осуществлять зондовые манипуляции, которые получили название зондовых нанотехнологий. Лаборатория электрофизических исследований оснащена современной измерительной техникой, позволяющей проводить исследования электрофизических и оптических параметров полупроводниковых и диэлектрических материалов и структур на их основе.

11.jpg
Директором РЦЗМкп назначен доцент, к.т.н. Вишняков Н.В.
Основными направлениями исследований Центра являются фундаментальные и прикладные научные исследования, среди которых можно выделить следующие:
  • исследования топографии поверхности твердых тел с высоким разрешением;
  • исследования магнитной и электрической морфологии поверхности магнитных и сегнетоэлектрических материалов электроники;
  • исследования квантово-размерных структур - гетероструктур с квантовыми ямами, квантовыми точками и квантовыми нитями;
  • исследование неупорядоченных систем и пленок неупорядоченных полупроводников, исследование морфологии пленок и процессов роста с позиций теории самоорганизации;
  • нанолитография и другие нанотехнологические процессы, разработка и создание наноразмерных объектов микро- и наносистемной техники;
  • внедрение в учебный процесс университета новейших технологий сканирующей зондовой и оптической микроскопии; научный анализ технологических процессов с позиций внедрения методов неразрушающего контроля для повышения экономической эффективности и выхода годных изделий по заказу производственных и научных предприятий.

12.jpg
В период с 2003 - по 2012 гг. с использованием оборудования РЦЗМкп было выполнено 21 научно-исследовательских работ фундаментального и прикладного характера, финансируемых Минобразования и науки РФ, Правительством Рязанской области и промышленными предприятиями РФ общим объемом более 80 млн. руб. Работы фундаментального характера касаются проблем физики неупорядоченных полупроводников, барьерных слоев на их основе, определения закономерностей роста пленок некристаллических полупроводников, а также исследования квантово-размерных структур на основе широкозонных кристаллических полупроводников, разработки фундаментальных основ экспериментальных методов исследований новых материалов и структур пониженной размерности и других физических проблем.

Участники Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
("AMS-4", Санкт-Петербург, 5 -7 июля 2004 г.)
13.jpg
Слева-направо: Козюхин С.А. (д.х.н., нач. лаборатории ИОНХ, г. Москва),
Алферов Ж.И. (академик РАН, Лауреат Нобелевской премии по физике, ФТИ им. Иоффе, г. С-Петербург), Минаев В.С. (д.т.н., "ЭЛМА", г. Зеленоград), Уточкин И.Г. (к.ф.-м.н., РГРТУ),
Вишняков Н.В. (к.т.н., руководитель РЦЗМкп РГРТУ)
В 2003 г. кафедра микроэлектроники переименована в кафедру биомедицинской и полупроводниковой электроники (БМПЭ).

В настоящее время коллектив кафедры в составе заведующего кафедрой профессора Вихрова Сергея Павловича, профессора Холоминой Татьяны Андреевны, профессора Садофьева Юрия Григорьевича, профессора Бодягина Николая Викторовича, профессора Михеева Анатолия Александровича, профессора Локтюхина Виктора Николаевича, доцента Тимофеева Владимира Николаевича, доцента Мальченко Сергея Иосифовича, доцента Вишнякова Николая Владимировича, доцента Зубкова Михаила Владимировича, доцента Шемонаева Николая Викторовича, доцента Литвинова Владимира Георгиевича, доцента Авачева Алексея Петровича, доцента Мельник Ольги Владимировны, доцента Алпатова Алексея Викторовича, доцента Челебаева Сергея Валерьевича, доцента Мишустина Владислава Геннадьевича, ассистента Гудзева Валерия Владимировича, ассистента Митрофанова Кирилла Валентиновича, ведущего научного сотрудника Корниловича Александра Антоновича, старшего научного сотрудника Миловановой Оксаны Александровны, старшего научного сотрудника Уточкина Ивана Геннадьевича, старшего научного сотрудника Кострюкова Сергея Анатольевича, младшего научного сотрудника Рыбина Николая Борисовича, младшего научного сотрудника Митрофановой Марии Юрьевны, младшего научного сотрудника Антоненко Андрея Васильевича, заведующего лабораториями Алборовой Заремы Марксовны, ведущего программиста Дровянниковой Раисы Ренатовны, техника Ананьина Ивана Михайловича, инженера Царева Владимира Николаевича, старшего лаборанта Чибисовой Натальи Лаврентьевны, инженера Точилиной Натальи Сергеевны, инженера Гришанкиной Натальи Владимировны, инженера Алмазова Данилы Владимировича, инженера Балаганского Семена Семеновича, инженера Ермачихина Александра Валерьевича, инженера Байдова Александра Александровича, инженера Блинова Павла Александровича, проводят подготовку бакалавров, инженеров и магистров по направлениям.

За прошедшие 42 года кафедрой подготовлено 1488 квалифицированных инженеров, бакалавров и магистров, которые трудятся во многих городах России, в странах ближнего и дальнего зарубежья.
В 2015 году кафедра была преобразована в кафедру микро- и наноэлектроники (МНЭЛ).
В настоящее время на кафедре развиваются:

Научное направление кафедры:

Микро- и наноэлектроника
научная школа: "Саморганизующиеся полупроводниковые наноструктуры" (возглавляется г.н.с., профессором С. П. Вихровым).


Научные центры, действующие на базе кафедры:

1. Региональный Центр зондовой микроскопии коллективного пользования (РЦЗМкп РГРТУ) (2003 г., научный руководитель ЦКП: ГУРОВ В.С., ректор РГРТУ, д.т.н.. профессор, зам. научного руководителя ЦКП: ВИХРОВ С.П., д.ф.-м.н., профессор, директор ЦКП: Вишняков Н.В., к.т.н., доцент, Сайт: www.ckp.rsreu.ru).
2. Научно-образовательный центр неупорядоченных и наноструктурированных материалов и устройств на их основе (НОЦ ННМУ) (2008 г., научный руководитель НОЦ: д.ф.-м.н., профессор Вихров С.П.,  директор НОЦ: к.ф.-м.н., доцент Литвинов В.Г., Сайт: rsreu.ru).


Орешкин Павел Тимофеевич (1920-2002)

14.jpg
Орешкин Павел Тимофеевич (09.01.1920 - 18.11.2002 г.г.) - основатель выпускающей кафедры полупроводников и диэлектриков родился в г.Юрюзань Челябинской области в 1920 году. В 1941 году он закончил обучение на физико-математическом факультете Свердловского государственного университета. С 1942 по 1945 годы участвовал в боях Великой Отечественной войны, был награжден орденами «Красной звезды» (1944 г.), «Отечественной войны» II степени (1985 г.) и пятью медалями.
С 1963 года П.Т.Орешкин работал в Рязанской государственной радиотехнической академии: с 1964 по 1988 год в должности заведующего кафедрой, с 1973 по 1986 год - проректора по научной работе.
В 1989 году Павлу Тимофеевичу присвоено звание «Заслуженный деятель науки и техники России», в 1995 г. - награжден Орденом «Дружбы», в этом же году ему присвоено звание Почетного гражданина г.Рязани, в 1999 г. - звание «Почетный работник высшего профессионального образования РФ».        Павел Тимофеевич опубликовал более 260 научных работ, в числе которых 3 книги и 22 авторских свидетельства. Одна из книг П.Т.Орешкина «Физика полупроводников и диэлектриков», изданная в 1977 г. издательством «Высшая школа», является одним из наиболее популярных в стране учебных пособий для студентов соответствующих специальностей вузов.
В 1990 г. за цикл работ по изучению релаксационных процессов в полупроводниковых барьерных структурах с глубокими уровнями П.Т.Орешкину присвоено звание лауреата Всесоюзного конкурса по микроэлектронике.
Под руководством П.Т.Орешкина выполнили и защитили кандидатские диссертации 33 человека, шестеро из них затем защитили докторские диссертации.
Скупые строки биографии, конечно, не могут раскрыть сущность и богатство жизненного пути, многогранность внутреннего мира, благородство и душевную щедрость П.Т.Орешкина - талантливого человека, ученого и педагога. Память о нём навсегда останется в сердцах коллег и учеников.
Рязанский государственный радиотехнический университет - История кафедры